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J-GLOBAL ID：200903095247445583

シリコン系結晶薄膜の形成方法

Inventor：
三宅 浩二

About 三宅 浩二

, 
緒方 潔

About 緒方 潔


Applicant, Patent owner：
日新電機株式会社

About 日新電機株式会社


Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000012618
Publication number (International publication number)：2001203340
Application date： Jan. 21, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 支持基板上にシリコンを含む結晶薄膜を形成する方法であって、比較的厚みのある結晶薄膜を効率よく形成することができるシリコン系結晶薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン単結晶基板1に水素イオンを注入する。イオン注入された結晶基板1をシリコン及びインジウムを含む融液の中に浸し、基板1を加熱することでボイド15を形成する。融液で、基板1のイオン注入面を加圧しながら、基板1を加熱して、ボイド15を形成する。融液を冷却することで、過飽和となったシリコンを基板1の表面に析出させ、基板1の表面にシリコン膜4を形成する。ボイド形成位置で基板1を分離する。これにより、シリコン単結晶薄膜11、41が積層された薄膜F1を得る。シリコン単結晶薄膜F1を支持基板5に接着する。
Claim (excerpt)：
シリコンを10wt%以上含有するシリコン系結晶基板に水素イオン又はヘリウムイオンを注入するイオン注入工程と、イオン注入された結晶基板を加熱して、該基板のイオン注入位置にボイドを形成するボイド形成工程と、イオン注入された結晶基板をシリコンを含有する金属融液に浸し、該融液を冷却してゆくことで、エピタキシャル成長によってシリコンを主成分とする単結晶薄膜又は多結晶薄膜を該基板のイオン注入面上に形成するエピタキシャル成長工程と、結晶薄膜が形成された結晶基板をボイド形成位置で分離する分離工程とを含み、前記ボイド形成工程におけるボイド形成のための前記結晶基板の加熱が、該結晶基板の少なくともイオン注入面を前記エピタキシャル成長工程で用いる金属融液に浸すことで行われることを特徴とするシリコン系結晶薄膜の形成方法。
IPC (4)：
H01L 27/12 ,  C30B 29/06 501 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/265
FI (4)：
H01L 27/12 B ,  C30B 29/06 501 Z ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 21/265 Q
F-Term (23)：
4G077AA03 ,  4G077BA10 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077ED06 ,  4G077FE09 ,  4G077FE11 ,  4G077FF01 ,  4G077FF07 ,  4G077FJ02 ,  5F053AA26 ,  5F053AA47 ,  5F053BB24 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053JJ01 ,  5F053LL05 ,  5F053LL10 ,  5F053PP06 ,  5F053RR13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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