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J-GLOBAL ID：200903010576839791

水素イオン剥離法によってSOIウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたSOIウエーハ

Inventor： 稲月 判臣 ,  阿賀 浩司 ,  小林 徳弘 ,  三谷 清
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998131350
Publication number (International publication number)：1999307472
Application date： Apr. 23, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 水素イオン剥離法において、剥離後にSOI層表面に残留するダメージ層、表面粗さを、研磨することなく除去し、SOI層の膜厚均一性を良好なものとしたSOIウエーハを製造する方法を提供するとともに、工程の簡略化を図る。【解決手段】 水素イオン剥離法によってSOIウエーハを製造する方法において、結合熱処理後、SOI層の表面を研磨することなく水素を含む還元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするSOIウエーハを製造する方法、および水素イオン剥離法によってSOIウエーハを製造する方法において、剥離熱処理後、SOI層の表面を研磨することなく水素を含む還元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするSOIウエーハを製造する方法、ならびにこれらの方法で製造されたことを特徴とするSOIウエーハ。

Claim (excerpt)：

水素イオン剥離法によってSOIウエーハを製造する方法において、結合熱処理後、SOI層の表面を研磨することなく水素を含む還元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするSOIウエーハを製造する方法。

IPC (3)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体基体とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-264386   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭62-123098
  
• 半導体基板の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-016523   Applicant：キヤノン株式会社
• シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-080939   Applicant：三菱電機株式会社
• シリコンウェーハの熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-209280   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• 特開昭61-193456
  
• 薄膜半導体基板の表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-038848   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社