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J-GLOBAL ID：200903095371177880

ポリアリーレンエーテル系化合物、それを含有する組成物、およびそれらの製造方法

Inventor：
坂口 佳充

About 坂口 佳充

, 
北村 幸太

About 北村 幸太

, 
永原 重徳

About 永原 重徳

, 
山下 全広

About 山下 全広


Applicant, Patent owner：
東洋紡績株式会社

About 東洋紡績株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003348477
Publication number (International publication number)：2004149779
Application date： Oct. 07, 2003
Publication date： May. 27, 2004
Summary：
【課題】 重合性が良好であるとともに高分子電解質膜として有用なスルホン酸基を導入したポリアリーレンエーテル系化合物により、耐熱性、加工性、イオン伝導性にすぐれた、特にイオン伝導膜として有用な高分子材料を得ることにある。【解決手段】 本発明のポリアリーレンエーテル系化合物によれば、一般式(1)とともに一般式(2)で示される構成成分を含むことを特徴とする。【化1】ただし、Arは2価の芳香族基、Yはスルホン基またはケトン基、XはHまたは1価のカチオン種を示す。【化2】ただし、Ar’は2価の芳香族基を示す。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
一般式(1)とともに一般式(2)で示される構成成分を含むことを特徴とするポリアリーレンエーテル系化合物。
IPC (6)：
C08G65/38 ,  C08J5/22 ,  C09J171/00 ,  C09J181/06 ,  H01M8/02 ,  H01M8/10
FI (7)：
C08G65/38 ,  C08J5/22 101 ,  C08J5/22 ,  C09J171/00 ,  C09J181/06 ,  H01M8/02 P ,  H01M8/10
F-Term (53)：
4F071AA51 ,  4F071AA64 ,  4F071AF42 ,  4F071AF45 ,  4F071AH15 ,  4F071BA02 ,  4F071BB02 ,  4F071BC01 ,  4F071BC12 ,  4F071FA01 ,  4F071FA05 ,  4F071FB01 ,  4F071FB07 ,  4F071FC01 ,  4F071FD05 ,  4J005AA24 ,  4J005BA00 ,  4J040BA031 ,  4J040BA032 ,  4J040DA001 ,  4J040DA002 ,  4J040DF001 ,  4J040DF002 ,  4J040EB031 ,  4J040EB032 ,  4J040EC001 ,  4J040EC002 ,  4J040ED001 ,  4J040ED002 ,  4J040EE061 ,  4J040EE062 ,  4J040EG001 ,  4J040EG002 ,  4J040EH021 ,  4J040EH022 ,  4J040EJ021 ,  4J040EJ022 ,  4J040EJ031 ,  4J040EJ032 ,  4J040GA19 ,  4J040GA25 ,  4J040KA32 ,  4J040LA08 ,  4J040LA09 ,  5H026AA06 ,  5H026AA08 ,  5H026BB00 ,  5H026BB03 ,  5H026CX05 ,  5H026EE18 ,  5H026HH00 ,  5H026HH03 ,  5H026HH05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 高分子電解質膜およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-142226   Applicant：ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
  • 米国特許出願公開第2002/0091225号明細書(第1-2頁)
Cited by examiner (7)
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