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J-GLOBAL ID:200903095457408621

プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石原 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995258557
Publication number (International publication number):1997082692
Application date: Oct. 05, 1995
Publication date: Mar. 28, 1997
Summary:
【要約】【課題】 高周波誘導結合方式プラズマ処理装置において、放電コイル用マッチング回路のマッチング用並列コイルによる電力効率の低下を小さくし、温度上昇を小さくし、かつプラズマ密度の基板面内の分布を良好にする。【解決手段】 放電コイル1を、一部又は全部が多重の渦形に形成すると共に、放電コイル1の中心側の上記放電コイルを構成する導線1aの互いに隣合う間隔が、放電コイル1の周辺側の放電コイルを構成する導線1aの互いに隣合う間隔より大きいように構成した。
Claim (excerpt):
真空容器と、基板電極と、放電コイルと、高周波電源と、放電コイルに導線にて接続され高周波電源に接続ケーブルにて接続されたマッチング回路とを備え、放電コイルに高周波電圧を印加することにより真空容器内にプラズマを発生させて基板電極上の基板を処理するプラズマ処理装置において、放電コイルをその一部又は全部を多重の渦形に形成すると共に、放電コイルの中心側の上記放電コイルを構成する導線の互いに隣合う間隔が、放電コイルの周辺側の放電コイルを構成する導線の互いに隣合う間隔より大きいようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (7):
H01L 21/3065 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/56 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (8):
H01L 21/302 B ,  C23C 14/34 T ,  C23C 16/56 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 L
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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