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J-GLOBAL ID：200903095503044176

剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置

Inventor： 高山 徹 ,  丸山 純矢 ,  水上 真由美 ,  山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002207536
Publication number (International publication number)：2003174153
Application date： Jul. 16, 2002
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、本発明は、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにTFTを代表とする様々な素子(薄膜ダイオード、シリコンのPIN接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子)を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板上に金属層または窒化物層11を設け、さらに前記金属層または窒化物層11に接して酸化物層12を設け、さらに積層成膜または500°C以上の熱処理を行っても、物理的手段で容易に酸化物層12の層内または界面において、きれいに分離することができる。

Claim (excerpt)：

被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、前記基板上に窒化物層が設けられており、前記窒化物層が設けられた基板上に少なくとも前記窒化物層と接する酸化物層を含む積層からなる被剥離層を形成した後、該被剥離層を前記窒化物層が設けられた基板から物理的手段により前記酸化物層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法。

IPC (6)：

H01L 27/12 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/14

FI (7)：

H01L 27/12 B ,  G02F 1/13 101 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 627 D ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 626 C

F-Term (78)：

2H088FA11 ,  2H088FA23 ,  2H088HA06 ,  3K007AB18 ,  3K007BA07 ,  3K007CA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28 ,  5F110QQ30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 薄膜デバイスの転写・製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-375812   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-295140   Applicant：シャープ株式会社
• 複合半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-283706   Applicant：宇部興産株式会社
• 磁気抵抗素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-248060   Applicant：松下電器産業株式会社
• 剥離方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-300371   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 剥離方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-300373   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜素子の転写方法,薄膜素子,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-315590   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• バックライト内蔵型液晶表示装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-346978   Applicant：セイコーエプソン株式会社