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J-GLOBAL ID：200903095531019144

半導体装置

Inventor： 大野 泰夫 ,  羽山 信幸 ,  笠原 健資 ,  中山 達峰 ,  宮本 広信 ,  高橋 裕之 ,  安藤 裕二 ,  松永 高治 ,  葛原 正明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000265786
Publication number (International publication number)：2002076023
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】III族窒化物半導体素子において、生産性、放熱特性および素子の高速動作性を改善すること。【解決手段】A面(サファイア単結晶C軸に平行な面)を主面とするサファイア基板11上に、バッファ層12を介してIII族窒化物半導体からなるエピタキシャル成長層13を形成し、その上にゲート電極16、ソース電極15およびドレイン電極17を形成する。単結晶サファイア基板の厚みは100μm以下とする。

Claim (excerpt)：

単結晶サファイア基板上に形成されたIII族窒化物半導体層と、前記III族窒化物半導体層の表面に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極と、を有する半導体装置であって、前記III族窒化物半導体層が、前記単結晶サファイア基板のC軸に平行な面上に形成され、前記単結晶サファイア基板の厚みが100μm以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/201 ,  H01L 29/778

FI (3)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/203 ,  H01L 29/80 H

F-Term (16)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-147492   Applicant：ソニー株式会社
• 気相エピタキシャル成長法、半導体基板の製造方法、半導体基板及びハイドライド気相エピタキシー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-027009   Applicant：日本電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• The Effect of GaN and AlN Buffer Layers on GaN Film Properties Grown on Both C-Plane and A-Plane Sap