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J-GLOBAL ID：200903095597563910

LEDチップおよびLED装置

Inventor： 橋本 拓磨 ,  杉本 勝 ,  木村 秀吉 ,  塩浜 英二 ,  葛原 一功 ,  高見 茂成
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001124558
Publication number (International publication number)：2002319708
Application date： Apr. 23, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 LEDチップ発光のチップ内繰り返し反射を抑制して、LEDチップからの光取り出しを促し、LEDチップの効率を向上させる。【解決手段】 透光性のサファイア基板10上に窒化ガリウムのバッファ一層を形成し、その上にn型半導体層11を形成し、その上に多層の量子井戸構造層が形成され発光層となる、その上にp型半導体層12を形成して成り、p型半導体層12の上に形成された電極13と、p型半導体層12と発光層の一部をエッチング除去して一部が露出されたn型半導体層11に形成された電極14とを組みにして有している。そして、サファイア基板10の窒化ガリウム層を形成した側の反対側の面には、1μm程度の凹凸10aが形成されている。

Claim (excerpt)：

透光性の基板結晶上にp型半導体層とn型半導体層とを形成して成り、フェースダウン状態で実装されるLEDチップであって、基板結晶の表面に凹凸が設けられていることを特徴とするLEDチップ。

F-Term (9)：

5F041AA07 ,  5F041CA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041DA04 ,  5F041DA41 ,  5F041EE25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-047694   Applicant：大同特殊鋼株式会社
• 青色発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-055074   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-128987   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 高効率白色発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-347959   Applicant：財団法人工業技術研究院
• 半導体発光デバイスおよびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-059187   Applicant：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー