成膜方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002308529
Publication number (International publication number)：2004146516
Application date： Oct. 23, 2002
Publication date： May. 20, 2004
Summary：

【課題】誘電率の上昇や絶縁膜への悪影響が生じず、かつ技術的困難性をともなわずに、基板の導電性部に例えば拡散防止膜として機能する膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。【解決手段】低誘電率材料からなる絶縁膜22と、その中に形成されたCu層27とを有する基板WのCu層27の表面にWからなる拡散防止膜28を成膜するにあたり、基板Wの表面にW(CO)6ガスを供給し、前記Cu層に該W(CO)6ガスを選択的に吸着させ、熱分解させることにより、Cu層27の表面に選択的にWからなる拡散防止膜を成膜する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

絶縁膜と、その中に形成された導電性部とを有する基板の前記導電性部の表面に金属膜を成膜する成膜方法であって、前記基板の表面に金属カルボニルガスを供給し、前記導電性部に該金属カルボニルガスを選択的に吸着させ、前記基板を加熱することにより、吸着した金属カルボニルガスを熱分解して、前記導電性部の表面に選択的に金属膜を成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (5)：

H01L21/285 , C23C16/16 , C23C16/46 , H01L21/28 , H01L21/3205

FI (5)：

H01L21/285 C , C23C16/16 , C23C16/46 , H01L21/28 301R , H01L21/88 R

F-Term (49)：

4K030AA12 , 4K030BA01 , 4K030BA05 , 4K030BA06 , 4K030BA12 , 4K030BA14 , 4K030BA20 , 4K030BB12 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104DD23 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD46 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104FF16 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH17 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033JJ11 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP07 , 5F033PP11 , 5F033QQ08 , 5F033QQ12 , 5F033QQ19 , 5F033QQ48 , 5F033QQ91 , 5F033QQ94 , 5F033XX21 , 5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体の銅製の相互接続部を不動態化処理する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-189019 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
半導体装置の配線構造およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-030432 Applicant：日本電信電話株式会社
MOSトランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-151113 Applicant：山形日本電気株式会社

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