SOI基板の結晶欠陥の評価方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須田正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997239173
Publication number (International publication number)：1999087450
Application date： Sep. 04, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】評価プロセスを複雑にすることなく、表面Si層中の結晶欠陥密度を正確に評価することができる。【解決手段】先ずSOI基板11とバルクSiウェーハ12とをSOI基板11の表面Si層11cをバルクSiウェーハ12に対向させて貼合せ、SOI基板11のSi基部11a及びSiO2層11bを研削及びエッチングして表面Si層11cのみをバルクSiウェーハ12側に残す。次にバルクSiウェーハ12を表面Si層11c側から選択エッチング液を用いてエッチングすることにより表面Si層11c中の結晶欠陥13を顕在化させる。

Claim (excerpt)：

SOI基板(11)とバルクSiウェーハ(12)とを前記SOI基板(11)の表面Si層(11c)を前記バルクSiウェーハ(12)に対向させて貼合せる工程と、前記SOI基板(11)のSi基部(11a)及びSiO2層(11b)を研削及びエッチングして前記表面Si層(11c)のみを前記バルクSiウェーハ(12)側に残す工程と、前記バルクSiウェーハ(12)を前記表面Si層(11c)側から選択エッチング液を用いてエッチングすることにより前記表面Si層(11c)中の結晶欠陥(13)を顕在化させる工程とを含むSOI基板の結晶欠陥の評価方法。

IPC (4)：

H01L 21/66 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/66 Q , H01L 21/66 L , H01L 27/12 T , H01L 29/78 624 , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体ウエーハの製造方法及びSIMSによる分析方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-217985 Applicant：信越半導体株式会社
特開平2-001914
特開昭56-103438

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Cited by examiner (5)

半導体ウエーハの製造方法及びSIMSによる分析方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-217985 Applicant：信越半導体株式会社
特開平2-001914
特開昭56-103438

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