Pat
J-GLOBAL ID：200903095713921030

光電変換材料用半導体、光電変換材料素子及び太陽電池

Inventor：
石毛 修

About 石毛 修

, 
大野 香織

About 大野 香織


Applicant, Patent owner：
コニカミノルタホールディングス株式会社

About コニカミノルタホールディングス株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007263046
Publication number (International publication number)：2009093910
Application date： Oct. 09, 2007
Publication date： Apr. 30, 2009
Summary：
【課題】優れた光電変換効率と安定性とを両立する安価な光電変換材料用半導体ならびに光電変換素子を提供する。【解決手段】光電変換材料用半導体は、一般式(1)で表される化合物が半導体表面に吸着されている。(式中、X、Y及びZは各々独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子及びN-Rを表す。Rは水素原子、脂肪族基、芳香族基、若しくは複素環基を表す。R1及びR2は各々独立に、脂肪族基、芳香族基若しくは複素環基を表す。n及びmは各々独立に0、1又は2を表し、lは0、1、2又は3を表す。但しlが0の場合、n及びmが同時に0である事は無く、またR1及びR2が同時に芳香族基である事は無い。)【選択図】なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物が半導体表面に吸着されていることを特徴とする光電変換材料用半導体。
IPC (2)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
F-Term (38)：
4H056CA02 ,  4H056CA03 ,  4H056CA05 ,  4H056CB06 ,  4H056CC04 ,  4H056CC06 ,  4H056CD12 ,  4H056CE02 ,  4H056FA05 ,  5F051AA14 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS10 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032BB06 ,  5H032BB09 ,  5H032CC16 ,  5H032CC17 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE04 ,  5H032EE06 ,  5H032EE07 ,  5H032EE12 ,  5H032EE13 ,  5H032EE14 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17 ,  5H032EE18 ,  5H032EE20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (14)
Show all
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM