半導体メモリ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柿本恭成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993129814
Publication number (International publication number)：1994342591
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 RAMとROMを混用したメモリセルアレイ構成にすることにより、より経済的な半導体メモリ装置を実現する。【構成】各単位コラム回路301 〜30i+2 ,...内の一部を、メモリセル内のトランジスタと電位配線とを接続したDROMメモリセルからなるメモリセルで構成し、残りを、従来の汎用のDRAMメモリセルで構成し、単一のメモリセルアレイを複数に分割する。分割されたDROM領域に対し、Xデコーダ手段40及びYデコーダ手段10によってメモリセルの選択が行え、その選択されたメモリセルに対してデータのアクセスが行われる。残りのDRAM領域に対しては、Xデコーダ手段40及びYデコーダ手段10によってメモリセルの選択が行われ、それに対してデータのアクセスが行われる。

Claim (excerpt)：

Yアドレスに基づき選択される複数のビット線からなるビット線群と、Xアドレスに基づき選択的に活性化される複数のワード線からなるワード線群と、第1と第2の電極間の導通状態を制御する制御電極が前記ワード線に接続され、該第1の電極が前記ビット線に接続されたトランジスタを有する複数のメモリセルからなるメモリセルアレイと、所定の電位レベルに保持された電位配線とを備え、前記複数のメモリセル中の所定のメモリセル内のトランジスタの第2の電極を前記電位配線に接続して前記メモリセルアレイを複数の記憶領域に分割する構成にしたことを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (2)：

G11C 11/404 , G11C 16/06

FI (2)：

G11C 11/34 352 C , G11C 17/00 309 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-148706 Applicant：富士通株式会社
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-219680 Applicant：シヤープ株式会社
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-115579 Applicant：シャープ株式会社

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