Pat
J-GLOBAL ID:200903095753507686
半導体装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999141965
Publication number (International publication number):2000331988
Application date: May. 21, 1999
Publication date: Nov. 30, 2000
Summary:
【要約】【課題】シリコンを含む材料の膜のエッチング時のパーティクルの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコンを含む材料の膜の有機材料によって被覆されていない領域を、概略除去されて下地の酸化膜表面が露出するまでプラズマエッチングするメインエッチングと、酸化膜が露出された表面をさらにプラズマエッチングするオーバーエッチングとを各々異なる別々のチャンバー内で行うことにより、上記課題を解決する。
Claim (excerpt):
半導体基板上に形成され、その表面が部分的に有機材料によって覆われた、シリコンを含む材料の膜を1層以上含む膜の、該有機材料で覆われていない部分の該シリコンを含む材料の膜を、塩素を含むガスおよび臭素を含むガスの少なくとも一方と酸化性ガスとを含む第1のガス雰囲気を利用したプラズマエッチングで、概略除去するまでエッチングするメインエッチングを行った後、水素を含むガスと酸化性ガスとを含む第2のガス雰囲気を利用したプラズマエッチングで、オーバーエッチングを行う半導体装置の製造方法であって、前記メインエッチングと前記オーバーエッチングとを別個のエッチング室内で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
F-Term (33):
5F004AA14
, 5F004AA15
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BA08
, 5F004BA14
, 5F004BA20
, 5F004BB11
, 5F004BB13
, 5F004BB14
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA05
, 5F004DA06
, 5F004DA07
, 5F004DA08
, 5F004DA09
, 5F004DA10
, 5F004DA11
, 5F004DA12
, 5F004DA13
, 5F004DA14
, 5F004DA21
, 5F004DA26
, 5F004DA27
, 5F004DA28
, 5F004DA29
, 5F004DB02
, 5F004DB03
, 5F004DB17
, 5F004EA03
, 5F004EA22
, 5F004EB02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
プラズマエッチング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-064264
Applicant:ソニー株式会社
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ドライエッチング方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-302014
Applicant:ヤマハ株式会社
-
シリコン系材料層の加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-286640
Applicant:ソニー株式会社
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