Pat
J-GLOBAL ID:200903095763844117

半導体用放熱板およびそれを用いた半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 太田 明男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999350805
Publication number (International publication number):2001168249
Application date: Dec. 09, 1999
Publication date: Jun. 22, 2001
Summary:
【要約】【課題】 半導体用放熱板およびそれを用いた半導体装置の提供。【解決手段】 銅板を基板とし、下層として黒鉛分散ニッケル系めっき層、ニッケルめっき層、あるいはニッケルめっきと黒鉛分散ニッケル系めっきとの2層めっき、上層として電解クロム酸処理層を有するか、あるいはニッケルめっき単層が形成されている本発明の半導体用放熱板およびそれを用いた半導体装置は、接着フィルムとの接着性に優れ、かつ耐リフロー性のような耐熱性にも優れる。
Claim (excerpt):
銅板を基板とした半導体用放熱板の少なくとも片面に、下層として黒鉛を分散した黒鉛分散ニッケルめっき層が形成され、上層として電解クロム酸処理層が形成されている半導体用放熱板。
IPC (3):
H01L 23/373 ,  C23C 22/24 ,  C23C 28/00
FI (3):
C23C 22/24 ,  C23C 28/00 C ,  H01L 23/36 M
F-Term (20):
4K026AA06 ,  4K026AA12 ,  4K026BA06 ,  4K026BB08 ,  4K026CA16 ,  4K026CA21 ,  4K026DA03 ,  4K044AA06 ,  4K044AB02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA15 ,  4K044BA18 ,  4K044BB03 ,  4K044BB11 ,  4K044BC02 ,  4K044CA17 ,  4K044CA18 ,  5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BD01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
Show all

Return to Previous Page