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J-GLOBAL ID：200903096052882020

インバータ

Inventor： 秋山 善一
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 樺山 亨 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002128635
Publication number (International publication number)：2003324198
Application date： Apr. 30, 2002
Publication date： Nov. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】この発明は、集積化が困難であるという課題を解決しようとするものである。【解決手段】 この発明は、ソース電極層、半導体層及びドレイン電極層を順次に積層し、これらの層の一方の側壁に接するように垂直方向に立ててゲート絶縁層及びゲート電極層を順次に設けたものである。

Claim (excerpt)：

スイッチング素子と、このスイッチング素子に電気的に接続されたロード素子とを有し、縦型電界効果トランジスタを前記スイッチング素子として用いたインバータにおいて、ソース電極層、半導体層及びドレイン電極層を順次に積層し、これらの層の一方の側壁に接するように垂直方向に立ててゲート絶縁層及びゲート電極層を順次に設けたことを特徴とするインバータ。

IPC (8)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 51/00

FI (9)：

H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 Z ,  H01L 29/78 626 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/28 ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/78 613 Z

F-Term (31)：

5F048AA01 ,  5F048AB04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BD00 ,  5F048BD07 ,  5F110AA04 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HL02 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• インバータ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-057574   Applicant：三菱電機株式会社, 住友化学工業株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-237896   Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-236830   Applicant：沖電気工業株式会社