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J-GLOBAL ID：200903096119279928

SnO2薄膜の製造方法およびIn2O3-SnO2薄膜の製造方法

Inventor：
土岐 元幸

About 土岐 元幸

, 
朝隈 直子

About 朝隈 直子


Applicant, Patent owner：
株式会社関西新技術研究所

About 株式会社関西新技術研究所


Agent (1)： 間宮 武雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997143506
Publication number (International publication number)：1998316427
Application date： May. 15, 1997
Publication date： Dec. 02, 1998
Summary：
【要約】【課題】 プラスチックスなどの耐熱性の低い基体上にも、導電性を有するSnO2薄膜やSnO2を20重量%以上含むIn2O3-SnO2薄膜を形成できる方法を提供する。【解決手段】 錫アルコキシドを含む溶液またはインジウムアルコキシドおよび錫アルコキシドを含む溶液を加水分解させて得られるゾルを基体の表面に塗布し、基体表面にゲル膜を形成した後、そのゲル膜に対して波長360nm以下の紫外光を照射し、薄膜を形成しているゲルを結晶化させて導電性を付与する。
Claim (excerpt)：
錫アルコキシドを含む溶液を加水分解させて得られるゾルを基体の表面に塗布して、基体表面にゲル膜を形成した後、そのゲル膜に対して波長が360nm以下である紫外光を照射し、薄膜を形成しているゲルを結晶化させて、導電性を有するSnO2薄膜を基体表面に形成することを特徴とするSnO2薄膜の製造方法。
IPC (4)：
C01G 19/02 ,  C01G 19/00 ,  C23C 18/12 ,  H01B 13/00 503
FI (4)：
C01G 19/02 C ,  C01G 19/00 A ,  C23C 18/12 ,  H01B 13/00 503 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 液晶表示装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-232305   Applicant：株式会社日立製作所
  • 金属部材
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-232309   Applicant：株式会社日立製作所
  • 特開平3-188938
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