ガス浸炭方法

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：高橋祥泰 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999143639
Publication number (International publication number)：2000328224
Application date： May. 24, 1999
Publication date： Nov. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】炉内温度が処理温度よりも低い状態であっても煤を発生させることなく適量のエンリッチガスを導入することができ,効率よく浸炭を行うことができるガス浸炭方法を提供すること。【解決手段】浸炭炉1には,炉内雰囲気ガスをサンプリングして炉外において炉内雰囲気ガス中のCO2濃度を検出するCO2センサ2と,炉内において炉内雰囲気ガス中の酸素濃度を検出する酸素センサ3とを設けておく。エンリッチガス7の導入は炉内温度Tの昇温中に開始し,CO2濃度を基に算出した見掛け上のカーボンポテンシャルCP1と,酸素濃度を基に算出した見掛け上のカーボンポテンシャルCP2との差(CP2-CP1)を求め,差(CP2-CP1)が所定値に近づくようにエンリッチガス7の流量を調整する。

Claim (excerpt)：

浸炭炉の炉内に被処理材を送入し,次いで,炉内温度を浸炭温度まで昇温すると共にエンリッチガスを炉内に導入してカーボンポテンシャルを上昇させて上記被処理材に浸炭を施すガス浸炭方法において,上記浸炭炉には,炉内雰囲気ガスをサンプリングして炉外において該炉内雰囲気ガス中のCO2濃度を検出するCO2センサと,炉内において上記炉内雰囲気ガス中の酸素濃度を検出する酸素センサとを設けておき,上記エンリッチガスの導入は上記炉内温度の昇温中に開始し,かつ,上記エンリッチガスの導入量を制御するに当たっては,上記CO2センサにより測定したCO2濃度を基に算出した見掛け上のカーボンポテンシャルCP1と,上記酸素センサにより測定した酸素濃度を基に算出した見掛け上のカーボンポテンシャルCP2との差(CP2-CP1)を求め,差(CP2-CP1)が所定値に近づくように上記エンリッチガスの流量を調整することを特徴とするガス浸炭方法。

F-Term (3)：

4K028AA01 , 4K028AC07 , 4K028AC08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭63-199859
特開平1-047843
特開昭60-029461

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