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J-GLOBAL ID：200903096392528434

反応性スパッタリング装置

Inventor：
高橋 信行

About 高橋 信行

, 
小西 暁夫

About 小西 暁夫


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 鈴木 利之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999286233
Publication number (International publication number)：2001107228
Application date： Oct. 07, 1999
Publication date： Apr. 17, 2001
Summary：
【要約】【課題】 複数のカソードのそれぞれの周囲にガス噴出管を配置して、プロセスガスを基板中央付近まで均一に行き渡るようにして、膜厚分布を改善する。【解決手段】 3個のマグネトロンカソードのうち、両側のカソード54a、54cは内側に傾斜している。真空容器32を「1×10のマイナス4乗」Paまで排気してから、カソード54a、54b、54cに付属するそれぞれのガス噴出管82からプロセスガス(アルゴンと酸素の混合ガス)88を導入する。合計でアルゴンガスの流量を120SCCM、酸素ガスの流量を90SCCMとして、真空容器内の圧力を0.7Paに設定する。それぞれの直流電源72からカソード54a、54b、54cに1kWの直流電力を供給して、クロム製のターゲット78をスパッタリングし、基板10上に酸化クロム薄膜を形成する。200nmの膜厚を得たときに膜厚分布は±4%となった。
Claim (excerpt)：
排気可能な真空容器と、この真空容器の内部で基板を保持する基板ホルダーと、前記基板に対向する位置に配置されたカソードと、前記真空容器の内部にプロセスガスを導入するガス導入機構とを備えた反応性スパッタリング装置において、前記カソードは複数個あり、前記ガス導入機構は前記複数のカソードのそれぞれの周囲に配置されたガス噴出管を備えていることを特徴とする反応性スパッタリング装置。
IPC (3)：
C23C 14/34 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/203
FI (4)：
C23C 14/34 C ,  C23C 14/34 B ,  H01L 21/31 D ,  H01L 21/203 S
F-Term (30)：
4K029AA24 ,  4K029CA06 ,  4K029DC16 ,  4K029DC22 ,  4K029DC28 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  5F045AA19 ,  5F045AB31 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AE15 ,  5F045AF07 ,  5F045BB02 ,  5F045CA15 ,  5F045CB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EF04 ,  5F045EH07 ,  5F045EH09 ,  5F045EH16 ,  5F103AA08 ,  5F103BB06 ,  5F103BB22 ,  5F103DD27 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN06 ,  5F103RR03 ,  5F103RR10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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