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J-GLOBAL ID：200903096409952910

半導体発光素子及びその製造方法、並びにZnO膜の形成方法

Inventor：
門田 道雄

About 門田 道雄


Applicant, Patent owner：
株式会社村田製作所

About 株式会社村田製作所


Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998205125
Publication number (International publication number)：2000036617
Application date： Jul. 21, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：
【要約】【課題】 InxGayAlzN系の半導体発光素子において、ZnOバッファ層とGaN層とのa軸方向の格子定数の差をより小さくすることにより、格子欠陥の少ないGaN層を得る。【解決手段】 導電性Si基板2の上に比抵抗の小さなZnOバッファ層3を成長させ、ZnOバッファ層3の上に順次n型GaN層4、n型AlGaN層5、InGaN層(発光層)6、p型AlGaN層7、p型GaN層8を成長させることにより、ダブルへテロ接合構造の半導体発光素子1を形成する。上記ZnOバッファ層のc定数は、スパッタ装置のパラメータを調整することにより、5.2070Å以上、好ましくは5.21Å〜5.28Åとしている。
Claim (excerpt)：
InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体を用いた半導体発光素子において、基板上にc軸方向の格子定数が5.2070Å以上のZnOバッファ層を形成し、ZnOバッファ層の上にGaN層を形成したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
F-Term (8)：
5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB07 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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