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J-GLOBAL ID：200903096465670730

化合物半導体装置及びその製造方法

Inventor：
倉本 大

About 倉本 大


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 高橋 詔男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999147280
Publication number (International publication number)：2000340892
Application date： May. 26, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 動作電圧が低く、長寿命かつ歩留まりが向上する窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 成長圧力100Torr,成長温度1050°C、MOCVD法でn型Al0.1Ga0.9N基板39表面にSiドープn型Al0.1Ga0.9Nのn型クラッド層40を形成。成長圧力760Torr、同じ温度でSiドープn型GaNのn型光閉じ込め層41を形成。成長温度780°C、In0.2Ga0.8N井戸層及びIn0.05Ga0.95Nバリア層のアンドープMQW層42を成長。成長温度1050°C,成長圧力100Torr、Mgドープp型Al0.2Ga0.8Nのキャップ層43を形成。成長圧力760Torr、Mgドープp型GaNのp型光閉じ込め層44を形成、成長圧力100Torr、Mgドープp型Al0.1Ga0.9Nのp型クラッド層45を成長。成長圧力を1400Torr、Mgドープp型GaNのp型コンタクト層46を成長させる。p型クラッド層45,p型コンタクト層46のメサ型47を形成、SiO2絶縁膜48をつけ、メサ部分を出し、LD構造を形成する。
Claim (excerpt)：
有機金属気相成長法により製造された化合物半導体装置において、半導体基板と、この上表面に順次重ねて形成された、組成が同様な複数の化合物半導体層と、前記半導体基板に形成された第1の電極と、最上層の前記化合物半導体層に形成された第2の電極とを具備し、前記化合物半導体層毎に形成されるときの気相成長の圧力が異なることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (3)：
H01S 5/323 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00
FI (3)：
H01S 3/18 673 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 33/00 C
F-Term (32)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104AA09 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD21 ,  4M104FF03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F041AA24 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA99 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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