発光素子及びその製造方法および光ディスク装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997176742
Publication number (International publication number)：1999026877
Application date： Jul. 02, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】へき開を容易にして低しきい値電流密度で発振するGaN系半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】 InGaN多重量子井戸発光層14を有するGaN系の六方晶系構造を有する半導体をn型GaAs基板18のような立方晶系の半導体とを熱処理を施すことにより融着により付着させる。その後、n型GaAs基板18をへき開すると、このへき開に従って六方晶系の半導体もへき開されるため、極めて平滑な共振器端面が得られ、結果的には小さなしきい値電流の発光素子を得ることができる。

Claim (excerpt)：

六方晶系構造を有する半導体と立方晶系構造を有する半導体とが特定の結晶面で付着されていることを特徴とする発光素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 , G11B 7/125 , H01L 33/00

FI (4)：

H01S 3/18 , G11B 7/125 A , H01L 33/00 B , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

半導体素子及び半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-038118 Applicant：株式会社東芝
窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-148470 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭58-138086

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Cited by examiner (11)

半導体素子及び半導体素子の製造方法
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窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
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特開昭58-138086

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