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J-GLOBAL ID：200903096484934390

酸化物薄膜の製造方法

Inventor： 杉本 敏明 ,  後藤 孝 ,  増本 博
Applicant, Patent owner： セントラル硝子株式会社 ,  後藤 孝 ,  増本 博
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004046752
Publication number (International publication number)：2005232574
Application date： Feb. 23, 2004
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：

【課題】 機能性薄膜を形成させるための有用な原料である含フッ素β-ジケトン金属錯体を用い、低温で気相化学反応法(CVD)による酸化物薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 CVD法によりZrまたはHfの酸化物薄膜を製造するに際し、金属重量換算で0.1〜50%のZrまたはHfの含フッ素β-ジケトン錯体を有機溶媒に溶解させた原料溶液を基板に噴霧するものであり、該含フッ素β-ジケトン錯体が、M(R1COCHCOR2)4で表される含フッ素β-ジケトン化合物錯体で(ただし、Mは、Zr、Hfを表し、R1、R2は、炭素数1〜8のアルキル基またはフッ素化アルキル基をそれぞれ表す。)、該有機溶媒が、アルコール類、エーテル類、ケトン類の少なくともひとつからなり、該基板の温度を20〜700°Cの範囲とし、また基板と噴霧するノズルとの間隔を5〜100mmの範囲とする。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

CVD法によりZrまたはHfの酸化物薄膜を製造するに際し、金属重量換算で0.1〜50%のZrまたはHfの含フッ素β-ジケトン錯体を有機溶媒に溶解させた原料溶液を基板に噴霧することを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。

IPC (2)：

C23C16/40 ,  H01L21/316

FI (2)：

C23C16/40 ,  H01L21/316 X

F-Term (24)：

4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA10 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030EA01 ,  4K030EA06 ,  4K030FA02 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA05 ,  4K030LA15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF08 ,  5F058BF27 ,  5F058BG10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-108595   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-112159   Applicant：株式会社日立製作所
• 高純度チタン錯体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-067441   Applicant：日本酸素株式会社
• 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-192944   Applicant：富士通株式会社