薄膜形成方法及び薄膜形成装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北野好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998192944
Publication number (International publication number)：2000026974
Application date： Jul. 08, 1998
Publication date： Jan. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】特性の安定した高誘電率薄膜や強誘電体薄膜を溶液気化型CVD法により形成しうる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。【解決手段】固体原料を溶媒に溶かした液体原料を気化器24により気化し、気化された原料ガスを成膜室36に導入して化学気相成長により薄膜を形成する薄膜形成方法において、気化器24内の圧力をほぼ一定に調整しながら液体原料を気化する。

Claim (excerpt)：

固体原料を溶媒に溶かした液体原料を気化器により気化し、気化された原料ガスを成膜室に導入して化学気相成長により薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記気化器内の圧力をほぼ一定に調整しながら前記液体原料を気化することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (5)：

C23C 16/448 , C23C 16/455 , C30B 25/16 , C30B 29/30 , H01L 21/31

FI (5)：

C23C 16/44 C , C23C 16/44 D , C30B 25/16 , C30B 29/30 B , H01L 21/31 A

F-Term (33)：

4G051BA04 , 4G051BA11 , 4G051BB05 , 4G051BC08 , 4G051BC09 , 4G051BG06 , 4G051BH02 , 4G051BH11 , 4G077AA03 , 4G077BB10 , 4G077DB08 , 4G077DB11 , 4G077DB21 , 4G077EC09 , 4G077HA11 , 4K030AA11 , 4K030AA18 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030EA01 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 4K030KA49 , 5F045AA06 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AE21 , 5F045BB04 , 5F045DP03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

液体原料用CVD装置、および液体原料を用いたCVDプロセスと、その液体原料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-057359 Applicant：三菱電機株式会社
酸化ビスマスの生成方法、酸化物膜の形成方法、及び半導体素子のキャパシタ構造の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-255542 Applicant：ソニー株式会社
CVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-238315 Applicant：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社

Show all

Return to Previous Page