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J-GLOBAL ID：200903096490203683

フォトニック結晶レーザ、フォトニック結晶レーザの製造方法、面発光レーザアレイ、光伝送システム、及び書き込みシステム

Inventor：
伊藤 彰浩

About 伊藤 彰浩

, 
佐藤 俊一

About 佐藤 俊一


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 丸山 隆夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005192390
Publication number (International publication number)：2006156944
Application date： Jun. 30, 2005
Publication date： Jun. 15, 2006
Summary：
【課題】 キャリアの注入により発光する活性層の近傍に、2次元的に屈折率周期を配置したフォトニック結晶周期構造体を備え、フォトニック結晶により共振して面発光するフォトニック結晶レーザ、フォトニック結晶レーザの製造方法、面発光レーザアレイ、光伝送システム、及び書き込みシステムを提供する。【解決手段】 半導体層に低屈折率孔を設けて形成される2次元フォトニック結晶構造の近傍に設けられた高抵抗領域領域と導電性領域からなる電流経路制限層により、キャリアの大部分は低屈折率孔から離れた場所を通るため、2次元フォトニック結晶構造を通過するキャリアのうち低屈折率孔の側壁に達する割合は小さくなり、低屈折率孔の側壁におけるキャリアの非発光再結合を減少させる。非発光再結合を防止することにより、電流の漏洩を抑制し、かつ低しきい値電流でレーザ光を発振することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
上部電極と、下部電極と、前記下部電極上に積層された基板と、前記基板上に積層された第1の導電型半導体層と、前記第1の導電型半導体層上に積層されたキャリアの注入により発光する活性層と、前記活性層上に積層された第2の導電型半導体層と、前記第1の導電型半導体層又は前記第2の導電型半導体層に屈折率が低い低屈折率領域を周期的に格子状に配列したフォトニック結晶構造とを有するフォトニック結晶レーザにおいて、 前記フォトニック結晶構造と前記上部電極又は前記下部電極との間に前記発光層へキャリアを注入する経路を制限する電流経路制限層と、 前記電流経路制限層は、高抵抗領域と導電性領域とを有し、 前記電流経路制限層は、前記フォトニック結晶構造と当接し、 前記各層に平行な前記低屈折領域の断面が前記各層に平行な前記高抵抗領域の断面内に配置されていることを特徴とするフォトニック結晶レーザ。
IPC (1)：
H01S 5/183
FI (1)：
H01S5/183
F-Term (5)：
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AH02 ,  5F173AP33 ,  5F173AP38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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