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J-GLOBAL ID：200903096498197038

プラズマ処理装置および方法

Inventor： 後藤 俊夫 ,  堀 勝 ,  畑 次郎 ,  輿水 地塩
Applicant, Patent owner： 後藤 俊夫 ,  東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (2)： 亀谷 美明 (外1名) ,  亀谷 美明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996087614
Publication number (International publication number)：1997192479
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Jul. 29, 1997
Summary：

【要約】【課題】 複数の処理ガスを用いた場合であっても、同一圧力条件下で各処理ガスの電子温度を高精度に制御する。【解決手段】 本発明によれば、個別独立にパルス変調制御可能な複数の高周波電界、例えばマイクロ波プラズマ(3、4)と誘導結合プラズマ(10、12)を用いて、同一圧力下において、処理ガスの種類に応じて異なる高周波電界をパルス変調することにより、各処理ガスの電子温度、電子密度の高精度の制御が可能となり、各ガスに対して最適な電子温度、電子密度を選択することにより、重要なラジカルを効率的に基板上に導入できる。

Claim (excerpt)：

高周波電界により複数種類の処理ガスをプラズマ化して被処理体を処理するにあたり、個別独立にパルス変調制御可能な複数の高周波電界を用いて、同一圧力下において、処理ガスの種類に応じて異なる高周波電界をパルス変調することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7)：

B01J 19/08 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (10)：

B01J 19/08 E ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 L ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• ラジカルの制御方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-241487   Applicant：名古屋大学長
• 特開昭62-285424
  
• 特開昭57-167631
  
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-196897   Applicant：富士電機株式会社
• 特開昭59-225517
  
• 特開平3-240963