発光素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999314433
Publication number (International publication number)：2001144321
Application date： Nov. 04, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】光吸収基板を改良することによって発光効率の低下を克服することである。【解決手段】本発明による発光素子は、電流に反応して光を発生する半導体積層構造と、その積層構造から発生し、反射層に向けて進む光を反射する半導体積層構造の主表面上に形成された反射層と、その反射層上に配置し、基板として機能する厚層と、電流を半導体積層構造に供給する電極構造と、を備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

電流に反応して光を発生する半導体積層構造と;前記半導体積層構造から発生し、反射層へと進む光を反射する該積層構造の主表面上に形成された反射層と;前記反射層上に配置し、基板として機能する厚層と;電流を前記半導体積層構造に供給する電極構造と、を備えている発光素子。

F-Term (18)：

5F041AA03 , 5F041AA42 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA37 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA88 , 5F041CA93 , 5F041CB15 , 5F041CB36 , 5F041DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-149021 Applicant：株式会社東芝
発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-128077 Applicant：晶元光電股ふん有限公司
特開平4-029374

Show all

Return to Previous Page