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J-GLOBAL ID：200903057213929809

領域電流密度を制御可能なLED

Inventor：
莊 豐如

About 莊 豐如


Applicant, Patent owner：
光磊科技股▲ふん▼有限公司

About 光磊科技股▲ふん▼有限公司


Agent (1)： 竹本 松司 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999292166
Publication number (International publication number)：2001111103
Application date： Oct. 14, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：
【要約】【課題】 領域電流密度を制御可能なLEDの提供。【解決手段】 正面電極とLED多結晶層の間或いは背面電極と基板の間に別に一つの電流阻止層が設けられることにより、LED多結晶層の電流が正面電極の底の下に排除され、発射光が正面電極に吸収或いは阻止されることによる透光輝度低下の欠点を予防でき、且つ電流阻止層の位置が適切な特定位置とされうることにより、相対的に電流分布回路と発光させたい領域位置をを区画して特定領域にあって発光輝度効率を最高とすることができ、このほか、電流阻止層及び電極が基板とLED多結晶層の製造完成後に一緒に形成され、製造上、簡単で便利であることを特徴としている。
Claim (excerpt)：
基板、該基板の上に成長させられpn接合を具え、そのpn接合が電流通過時に発射光を発生するLED多結晶層、該LED多結晶層の上層部分の表面に形成された正面電流阻止層、該正面電流阻止層の上に形成されて一部の領域が直接LED多結晶層に連接された正面電極、該基板の底層部分の表面に形成された背面電流阻止層、該背面電流阻止層の底層に形成されて一部の領域が直接該基板に連接された背面電極、以上を少なくとも具備したことを特徴とする、領域電流密度を制御可能なLED。
F-Term (8)：
5F041AA03 ,  5F041CA02 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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