巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサおよびその製造方法と製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998204066
Publication number (International publication number)：2000035470
Application date： Jul. 17, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、4つの巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層の磁化を個々にブリッジ接続型として好ましい方向に確実に制御できるとともに、その制御が容易にできる磁界センサとその製造方法と製造装置の提供を提供することにある。【解決手段】本発明は、第1の巨大磁気抵抗効果素子31と第2の巨大磁気抵抗効果素子32が第1の直線L1に沿い、ピン止め磁性層cの磁化の向きを一定方向に向けて設けられるとともに、第3の巨大磁気抵抗効果素子33と第4の巨大磁気抵抗効果素子34が前記第1の直線と平行な第2の直線L2に沿い、ピン止め磁性層の磁化の向きを前記第1、第2の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きと180 ゚反対向きにして設けられてなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

交換バイアス層と、この交換バイアス層により磁化の方向が一方向に固定されたピン止め磁性層と、非磁性層と、外部磁界によって磁化の方向が回転自在にされたフリー磁性層とを少なくとも具備する巨大磁気抵抗効果素子が複数備えられ、第1の巨大磁気抵抗効果素子と第2の巨大磁気抵抗効果素子が、各々第1の直線に沿い、かつ、各々のピン止め磁性層の磁化の向きを一定方向に向けて設けられるとともに、第3の巨大磁気抵抗効果素子と第4の巨大磁気抵抗効果素子が、各々前記第1の直線と平行な第2の直線に沿い、かつ、各々のピン止め磁性層の磁化の向きを前記第1、第2の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きと180 ゚反対向きにして設けられてなることを特徴とする巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサ。

IPC (3)：

G01R 33/09 , H01L 43/08 , H01L 43/12

FI (3)：

G01R 33/06 R , H01L 43/08 Z , H01L 43/12

F-Term (8)：

2G017AA01 , 2G017AB01 , 2G017AB02 , 2G017AC06 , 2G017AD55 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 2G017BA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

磁界センサー及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-283070 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
磁界センサ、そんなセンサを具えた装置及びそんなセンサを製造する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-526837 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
磁気抵抗センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-039319 Applicant：三菱電機株式会社

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