Pat
J-GLOBAL ID:200903096641489819
薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005154536
Publication number (International publication number):2006013480
Application date: May. 26, 2005
Publication date: Jan. 12, 2006
Summary:
【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等の構成物を、密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタ又は表示装置などを構成する構成物を、それらの被形成物表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質を添加(混入)して形成することによって、構成物と被形成物との密着性を向上させる。また、構成物上に形成される絶縁層において、構成物表面に生じる凹凸形状を十分に被覆し、かつ絶縁層として信頼性に足るように緻密化できるように、絶縁層を有機材料を含む第1の絶縁層と、無機材料を含む第2の絶縁層とを積層して形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
絶縁表面上に、前記絶縁表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質を分散させた導電層を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (6):
H01L 29/786
, H01L 21/288
, H01L 51/50
, H01L 21/336
, H01L 21/320
, H01L 51/05
FI (8):
H01L29/78 617M
, H01L21/288 Z
, H05B33/14 A
, H01L29/78 617U
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 627A
, H01L21/88 B
, H01L29/28
F-Term (133):
3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007GA00
, 4M104AA01
, 4M104AA08
, 4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB18
, 4M104BB30
, 4M104BB36
, 4M104BB39
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD51
, 4M104DD79
, 4M104DD80
, 4M104DD81
, 4M104GG09
, 4M104GG20
, 4M104HH09
, 5F033GG03
, 5F033GG04
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH12
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033HH19
, 5F033HH33
, 5F033HH38
, 5F033JJ09
, 5F033JJ12
, 5F033JJ13
, 5F033JJ14
, 5F033JJ19
, 5F033JJ38
, 5F033KK04
, 5F033KK05
, 5F033LL01
, 5F033PP15
, 5F033PP26
, 5F033QQ73
, 5F033QQ82
, 5F033QQ83
, 5F033QQ99
, 5F033VV06
, 5F033VV15
, 5F033WW01
, 5F033XX14
, 5F033XX33
, 5F033XX34
, 5F110AA16
, 5F110AA18
, 5F110AA28
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE14
, 5F110EE27
, 5F110EE42
, 5F110EE48
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF07
, 5F110FF09
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG33
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110HK09
, 5F110HK32
, 5F110HL01
, 5F110NN03
, 5F110NN12
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110PP01
, 5F110PP03
, 5F110PP05
, 5F110PP06
, 5F110PP24
, 5F110PP29
, 5F110PP34
, 5F110PP35
, 5F110QQ19
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (5)
-
特開平4-134788
-
特開昭52-129293
-
半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-232400
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
デバイスの製造方法、デバイス及び電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-119969
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
EL表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-121475
Applicant:東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社
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