半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999232400
Publication number (International publication number)：2000150904
Application date： Aug. 19, 1999
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域と絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、TFTの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。【解決手段】上記目的を解決するため、本発明は、基板100または下地膜101上にゲート配線102を形成し、ゲート絶縁膜103と半導体膜104と絶縁膜105を大気にふれさせることなく積層形成し、次いで絶縁膜105を介して赤外光または紫外光(レーザ光)の照射による半導体膜の結晶化を行った後、レジストマスクを用い、LDD構造を備えた半導体装置を作製する。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上にゲート配線と、前記ゲート配線に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に接する活性層と、前記活性層上に接する保護膜と、前記保護膜に接し、3価または5価の不純物元素が添加された有機樹脂とを有し、前記保護膜は、前記活性層を構成するソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域とドレイン領域の間に形成されたチャネル形成領域の少なくとも一部を覆うことを特徴とする半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 , G02F 1/1365 , H01L 21/336

FI (6)：

H01L 29/78 619 A , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 627 B , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (18)

薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-117779 Applicant：シャープ株式会社
薄膜半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-082012 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-206837

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