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J-GLOBAL ID：200903096735443596

一括消去型不揮発性記憶装置とその消去方法

Inventor： 高橋 正人 ,  小田桐 美智子 ,  古野 毅 ,  古沢 和則 ,  和田 正志
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 徳若 光政
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994129691
Publication number (International publication number)：1995320488
Application date： May. 19, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 単時間で高精度での消去動作の実現と低電圧での安定した動作を実現した一括消去型不揮発性記憶装置。【構成】 書き込み動作によって一括消去の可能な不揮発性記憶装置において、消去単位のメモリセルを読み出してフローティングゲートに電荷が蓄積されていない不揮発性素子に対してプレライトを行う第1の動作と、上記消去単位の不揮発性素子に対して一括して比較的大きなエネルギーにより比較的大きな消去基準電圧のもとに高速に消去動作を行う第2の動作と、上記消去された全不揮発性素子を読み出して比較的低いしきい値電圧にされたものに対して書き込み動作を行う第3の動作と、上記消去単位の不揮発性記憶素子に対して一括して比較的小さなエネルギーにより比較的小さな消去基準電圧のもとに低速に消去動作を行う第4の動作を順次に行う。

Claim (excerpt)：

書き込み動作によってフローティングゲートに蓄積された電荷をソース側に放出させて消去を行うようにした不揮発性素子と、かかる不揮発性記憶素子の一括消去動作において消去単位のメモリセルを読み出してフローティングゲートに電荷が蓄積されていない不揮発性素子に対してプレライトを行う第1の動作と、上記消去単位の不揮発性素子に対して一括して比較的大きなエネルギーにより比較的大きな消去基準電圧以下となるよう消去動作を行う第2の動作と、上記消去された全ての不揮発性素子を読み出して比較的低いしきい値電圧にされたものに対して浅い書き込み動作を行う第3の動作と、上記消去単位の不揮発性記憶素子に対して一括して比較的小さなエネルギーにより比較的小さな消去基準電圧以下となるよう消去動作を行う第4の動作を順次に行う自動消去回路を備えてなることを特徴とする一括消去型不揮発性記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-006698
  
• プログラマブルリードオンリメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-360453   Applicant：ソニー株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-277190   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-250495
  
• 不揮発性半導体メモリ及びその消去、書込み方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-148097   Applicant：株式会社東芝