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J-GLOBAL ID:200903096742576402

温度補償型薄膜バルク音響共振器デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  特許業務法人オカダ・フシミ・ヒラノ
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006319975
Publication number (International publication number):2007159123
Application date: Nov. 28, 2006
Publication date: Jun. 21, 2007
Summary:
【課題】共振周波数の温度係数が小さく、且つリリースエッチングでのエッチングに適合する材料を用いて製造することができること。 【解決手段】温度補償型薄膜バルク音響共振器(FBAR)デバイスであって、FBARスタックを備え、該FBARスタックは、温度係数を有する共振周波数によって特徴付けられるFBARであって、該FBARは、両側にある平面電極と、該電極間にある圧電素子とを有し、該圧電素子は、前記共振周波数の前記温度係数が少なくとも或る程度依存する温度係数を有する、FBARと、ドープされた二酸化珪素を含む温度補償層と、を備える、FBARデバイス。【選択図】図3B
Claim (excerpt):
温度補償型薄膜バルク音響共振器(FBAR)デバイスであって、 FBARスタックを備え、該FBARスタックは、 温度係数を有する共振周波数によって特徴付けられるFBARであって、該FBARは、両側にある平面電極と、該電極間にある圧電素子とを有し、該圧電素子は、前記共振周波数の前記温度係数が少なくとも或る程度依存する温度係数を有する、FBARと、 ドープされた二酸化珪素を含む温度補償層と、を備える、FBARデバイス。
IPC (7):
H03H 9/17 ,  H03H 3/02 ,  H03H 9/54 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22
FI (8):
H03H9/17 F ,  H03H3/02 B ,  H03H9/54 Z ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z
F-Term (13):
5J108AA04 ,  5J108AA07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC04 ,  5J108EE03 ,  5J108EE07 ,  5J108EE13 ,  5J108FF02 ,  5J108HH01 ,  5J108HH05 ,  5J108KK07 ,  5J108MM08 ,  5J108MM11
Patent cited by the Patent:
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Cited by examiner (10)
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