光半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994248453
Publication number (International publication number)：1996086988
Application date： Sep. 17, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】高速変調時にも波長チャープが小さく、長距離伝送可能な電界吸収型半導体光変調器を提供すること。【構成】 n型InP基板1上に量子井戸構造の半導体導波層2,p型InPクラッド層3,p型InGaAsコンタクト層4及びp型オーミック電極が形成され、基板1の下面にn型オーミック電極が形成され、半導体導波層2に電圧信号を印加することにより光の変調を行う電界吸収型半導体光変調器において、半導体導波層2を、層厚の異なる第1及び第2のInGaAs量子井戸層21,22とInGaAsPバリア層23を交互に積層した多重量子井戸構造と、これを挟むように積層されたInGaAsP層24,25で形成し、量子井戸層21,22におけるαパラメータの電界依存性が異なるようにしたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

量子井戸構造からなる半導体光導波路と、この半導体光導波路に電気信号を入力する手段とを備えた光半導体素子であって、前記量子井戸構造は少なくとも2種類の量子井戸層からなり、第1の量子井戸層の励起子波長と第2の量子井戸層の励起子波長とが異なるように形成し、前記光導波路としての(屈折率変化/吸収係数変化)の電界依存性が、第1及び第2の量子井戸層のそれぞれにおける(屈折率変化/吸収係数変化)の電界依存性よりも小さくなるようにしたことを特徴とする光半導体素子。

IPC (2)：

G02F 1/025 , G02F 1/015 501

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

光変調器および発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-134236 Applicant：株式会社日立製作所
光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-332851 Applicant：富士通株式会社
特開平4-076979

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