半導体膜とその製造方法、およびそれを用いた太陽電池とその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004174425
Publication number (International publication number)：2005117012
Application date： Jun. 11, 2004
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：

【課題】キャリア濃度が効果的に制御された半導体膜とその製造方法、およびそれを用いた太陽電池とその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体膜は、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含むカルコパイライト構造の化合物半導体に、Ia族元素およびVb族元素が添加された組成を有する。これにより、キャリア濃度が効果的に制御された半導体膜を提供する。また、本発明の太陽電池(1)は、基板(11)と、基板(11)上に光吸収層(13)として設けられた本発明の半導体膜とを有する。これにより、キャリア濃度が効果的に制御された光吸収層を設けて、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含むカルコパイライト構造の化合物半導体に、Ia族元素およびVb族元素が添加された組成を有する半導体膜。

IPC (1)：

H01L31/04

FI (1)：

H01L31/04 E

F-Term (8)：

5F051AA10 , 5F051CB14 , 5F051CB15 , 5F051DA03 , 5F051FA02 , 5F051FA04 , 5F051GA02 , 5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-236333 Applicant：松下電器産業株式会社
基板上に太陽電池を製造する方法及びカルコパイライト吸収層を有する太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-312243 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
薄膜太陽電池の製法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-513835 Applicant：ノルディックソーラーエナジイアクチボラゲット

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