新規スルホニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996307362
Publication number (International publication number)：1997323970
Application date： Nov. 01, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基に少なくとも1つの酸不安定基を有し、かつ直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホネートを持つことを特徴とするスルホニウム塩。(但し、式中R1はアルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基、OR2は酸不安定基、Yは炭素数1〜20のアルキルスルホネートで、その構造中にカルボニル二重結合、エーテル結合又はアルコール性水酸基を含んでいてもよい。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数、n+mは3、rは1〜5の整数、pは0〜5の整数、qは0〜4の整数、q+rは1〜5の整数である。)【効果】式(1)のスルホニウム塩は、微細加工技術に適した高解像性を有する化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として有効である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基に少なくとも1つの酸不安定基を有し、かつ直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホネートを持つことを特徴とするスルホニウム塩。【化1】(但し、式中R1はアルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、それぞれ同じでも異なってもよい。OR2は酸不安定基であり、Yは炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホネートで、その構造中にC=Oカルボニル二重結合、C-O-Cエーテル結合又はアルコール性水酸基を含んでいてもよい。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつn+mは3である。rは1〜5の整数であり、pは0〜5の整数、qは0〜4の整数でq+rは1〜5の整数である。)

IPC (5)：

C07C381/12 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (5)：

C07C381/12 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

スルホニウム塩及びレジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-019844 Applicant：信越化学工業株式会社
ビス(p-tert-ブトキシフェニル)スルホキシド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-026171 Applicant：信越化学工業株式会社
新規なオニウム塩及びそれを用いたポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-242101 Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社

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Cited by examiner (10)

スルホニウム塩及びレジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-019844 Applicant：信越化学工業株式会社
ビス(p-tert-ブトキシフェニル)スルホキシド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-026171 Applicant：信越化学工業株式会社
新規なオニウム塩及びそれを用いたポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-242101 Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社

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