活性窒素を使用して窒化膜を形成するアニール方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩原誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997279228
Publication number (International publication number)：1999121452
Application date： Oct. 13, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】アンモニアを使用する必要もなく、酸素を絶えず排除する必要もない、簡単なプロセスおよび装置によって、窒化膜を形成するアニール方法を提供する。【解決手段】基板12上に膜状の窒化物を形成する材料を形成した後、窒素活性化室20で発生した、活性窒素の雰囲気中で窒化物を組成する材料膜に対するアニールを加熱ランプ16で行う。

Claim (excerpt)：

基板を準備するステップと、前記基板上に膜状の窒化物を形成する材料を形成するステップと、活性窒素の雰囲気中で前記窒化物を形成する材料膜に対するアニールを行って、窒化膜を形成するステップとを具備することを特徴とする活性窒素を使用して窒化膜を形成するアニール方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-199333 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-155957 Applicant：三洋電機株式会社
特開昭59-169142

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