Pat

J-GLOBAL ID：200903097163011360

電気的書換え可能な不揮発性半導体記憶装置の初期化方 法

Inventor： 浦井 孝彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994236539
Publication number (International publication number)：1996102198
Application date： Sep. 30, 1994
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】しきい値電圧のバラつきを低減すると同時に、異常動作や信頼性上の問題を防ぎ、かつ消去時間の増加を防止する電気的書換え可能な不揮発性半導体記憶装置の初期化方法を提供する。【構成】消去動作と消去ベリファイを繰返し行なって所望のしきい値電圧よりも低い値になるまで過消去する過程(101)と、書戻し動作としきい値電圧の下限をチェックするベリファイを繰返し行なってしきい値電圧を所望の値になるまで実行する書戻し過程(102)と、その際のしきい値電圧の上限がある値以下である事を検証するベリファイ過程(103)をこの順に行なう。

Claim (excerpt)：

一の消去単位に対する消去動作と前記消去動作に引き続いて前記一の消去単位内に含まれるメモリセルの全てに対してそのしきい値電圧が第1のメモリセルしきい値電圧上限値以下になる事を検証する第1のベリファイ動作とを前記メモリセルのしきい値電圧が全て前記第1のメモリセルしきい値電圧上限値以下になるまで繰返す過程と、前記一の消去単位に対する書戻し動作と前記書戻し動作に引き続いて前記一の消去単位内に含まれるメモリセルの全てに対してそのしきい値電圧が前記第1のメモリセルしきい値電圧下限値以上になる事を検証する第2のベリファイ動作とを前記メモリセルのしきい値電圧が全て前記第1のメモリセルしきい値電圧下限値以上になるまで繰返す書戻し過程と、前記一の消去単位内に含まれるメモリセルの全てに対してそのしきい値電圧が前記第2のメモリセルしきい値電圧上限値以下になる事を検証する第3のベリファイ過程とを含みかつこの順序で実行し、前記第1のメモリセルしきい値電圧上限値は前記第2のメモリセルしきい値電圧上限値より低い事を特徴とする電気的書換え可能な不揮発性半導体記憶装置の初期化方法。

FI (2)：

G11C 17/00 530 A ,  G11C 17/00 309 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プログラマブルリードオンリメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-360453   Applicant：ソニー株式会社
• 一括消去型不揮発性記憶装置とその消去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-129691   Applicant：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• フラッシュ型E2 PROMの消去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-207173   Applicant：ソニー株式会社