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J-GLOBAL ID：200903097232644728

酸化物薄膜の成膜方法

Inventor： 鈴木 康之 ,  安藤 謙二 ,  枇榔 竜二
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 阪本 善朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995194329
Publication number (International publication number)：1997025571
Application date： Jul. 06, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】 Al2 O3 膜等の酸化物薄膜に酸素不足が発生するのを防ぐ【構成】 減圧チャンバ1内の基板W1 とAlターゲット3の間にRF電源4の高周波電圧とDC電源5の直流電圧を印加して発生するスパッタリング粒子を基板W1 に被着させ、Al2 O3 膜を成膜する。減圧チャンバ1内にArのスパッタリングガスとO2 の反応性ガスを導入するとともに、H2 OとHeガスを導入してAlの酸化を促進する。

Claim (excerpt)：

減圧雰囲気中の基板にターゲットのスパッタリング粒子を被着させて酸化物薄膜を成膜する工程を有し、前記減圧雰囲気に、HeガスおよびNeガスの少なくとも一方と水分を添加することを特徴とする酸化物薄膜の成膜方法。

IPC (5)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/44 ,  G02B 1/10 ,  G02B 5/08 ,  C23C 14/08

FI (5)：

C23C 14/34 M ,  C23C 14/44 ,  G02B 5/08 ,  C23C 14/08 A ,  G02B 1/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

• 特開昭62-154676
  
• 特開昭62-154676
  
• 特開平4-242017
  
• 特開平4-242017
  
• 特開平2-255507
  
• 特開平2-255507
  
• 特開昭63-140077
  
• 特開昭63-140077
  
• スパッタ成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-124233   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平2-112112
  
• 特開平2-112112
  
• 透明導電性フィルムの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-151215   Applicant：住友ベークライト株式会社
• 薄膜形成方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-242188   Applicant：キヤノン株式会社