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J-GLOBAL ID：200903097304970250

研磨スラリーの製造方法

Inventor： 羽場 真一 ,  福田 啓司 ,  太田 慶治 ,  ▲吉▼田 光一
Applicant, Patent owner： ロデール・ニッタ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000233776
Publication number (International publication number)：2002047482
Application date： Aug. 01, 2000
Publication date： Feb. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 研磨スラリーに含まれる粗大粒子数を低減し、研磨対象物へのスクラッチ、研磨レートのばらつきを抑える研磨スラリーの製造方法を提供すること。【解決手段】 研磨スラリーの製造方法は、金属酸化物、二酸化珪素、炭化珪素、無機塩、および有機化合物からなる群から選択された粒子を含有する水系媒体の研磨スラリーに、超音波を施す工程、を包含する。1μm以上の粒子数が、10万個/0.5ml〜2億個/0.5ml含まれている超音波分散前の研磨スラリーに、強度200〜600W/cm2の超音波を施して、1μm以上の粒子数を、超音波分散前に比べ、50%〜90%減少させる。

Claim (excerpt)：

金属酸化物、二酸化珪素、炭化珪素、無機塩、および有機化合物からなる群から選択された粒子を含有する水系媒体のスラリーに、超音波を施す工程、を包含する研磨スラリーの製造方法。

IPC (5)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/304 622

FI (5)：

C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/304 622 D

F-Term (6)：

3C047FF08 ,  3C047GG15 ,  3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-239496   Applicant：松下電子工業株式会社
• 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-349240   Applicant：日立化成工業株式会社
• 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-207866   Applicant：日立化成工業株式会社
• 研磨剤スラリ-
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-324429   Applicant：株式会社岡本工作機械製作所