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J-GLOBAL ID：200903097314684043

研磨装置及び研磨方法

Inventor：
ラジャラム サンジェイ

About ラジャラム サンジェイ

, 
堀 康浩

About 堀 康浩


Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

About アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 園田 吉隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000334745
Publication number (International publication number)：2002154053
Application date： Nov. 01, 2000
Publication date： May. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】 適切な研磨時間を設定することにより半導体ウェハ等の被研磨体を最適状態となるように研磨することが可能な研磨装置及び研磨方法を提供する。【解決手段】 研磨装置は、被研磨体を研磨する研磨手段と、研磨手段により研磨される被研磨体の研磨前の厚さ、研磨時間及び研磨後の厚さを測定する測定手段と、測定手段で得られたデータと被研磨体の厚さの目標値とに基づき被研磨体の最適研磨時間を計算するプロセッサと、新たに研磨される被研磨体をプロセッサにより計算された最適研磨時間だけ研磨するように研磨手段を制御する制御手段とを備えている。このプロセッサは、被研磨体の研磨前の厚さ、研磨時間、研磨後の厚さ及び被研磨体の厚さの目標値を含むパラメータと演算子を用いて任意に設定された計算式に従って被研磨体の最適研磨時間を計算する。
Claim (excerpt)：
被研磨体を研磨する研磨手段と、該研磨手段により研磨される被研磨体の研磨前の状態、研磨時間及び研磨後の状態を測定する測定手段と、該測定手段で得られたデータと前記被研磨体の最適研磨状態を表すデータとに基づいて、予め設定された計算式に従って、前記被研磨体の最適研磨時間を計算するプロセッサと、新たに研磨される被研磨体を前記プロセッサにより計算された最適研磨時間だけ研磨するように前記研磨手段を制御する制御手段とを備えた研磨装置。
IPC (4)：
B24B 37/04 ,  B24B 49/04 ,  B24B 49/12 ,  H01L 21/304 622
FI (4)：
B24B 37/04 K ,  B24B 49/04 Z ,  B24B 49/12 ,  H01L 21/304 622 R
F-Term (20)：
3C034AA13 ,  3C034BB73 ,  3C034BB93 ,  3C034CA02 ,  3C034CA05 ,  3C034CA13 ,  3C034CA15 ,  3C034CA22 ,  3C034CB01 ,  3C034DD07 ,  3C034DD10 ,  3C058AA07 ,  3C058AB04 ,  3C058AC02 ,  3C058BA02 ,  3C058BA09 ,  3C058BB09 ,  3C058BC02 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)

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