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J-GLOBAL ID：200903097320125200

垂直共振器型面発光半導体レーザ

Inventor： 小林 康宏 ,  知野 豊治 ,  松田 賢一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995032475
Publication number (International publication number)：1995288362
Application date： Feb. 21, 1995
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 p型ミラーを底部に備えた低抵抗な面発光半導体レーザを提供する。【構成】 面発光半導体レーザは210は、上面212を有するp型下部ミラー102と、その上面全体を覆って形成されたp型スペーサ層103と、p型下部ミラー102の上面212よりも小さな底面を備えた活性層を含み、p型スペーサ層上に形成された活性領域104と、活性領域上に形成されたn型スペーサ層と、n型上部ミラーとを備えている。p型スペーサ層103、活性領域104、及びn型スペーサ層105のそれぞれの厚さ方向の光路長の合計dが活性領域から発振する光の波長λに対して、d=(1+n)・λ/2(n:自然数)の関係を満たしている。

Claim (excerpt)：

上面を有するp型下部ミラーと、該上面全体を覆って形成されたp型スペーサ層と、該p型下部ミラーの上面よりも小さな底面を備えた活性層を含み、該p型スペーサ層上に形成された活性領域と、該活性領域上に形成されたn型スペーサ層と、該n型スペーサ層上に形成されたn型上部ミラーとを備え、該p型スペーサ層、該活性領域、及び該n型スペーサ層のそれぞれの厚さ方向の光路長の合計dが該活性領域から発振する光の波長λに対して、d=(1+n)・λ/2(n:自然数)の関係を満たす、垂直共振器型面発光半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 面発光半導体レーザの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-351931   Applicant：日本電気株式会社
• 面発光型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-076602   Applicant：株式会社日立製作所
• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-031670   Applicant：松下電器産業株式会社