配線構造及び配線構造の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高月亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993335067
Publication number (International publication number)：1995201853
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 Al等の配線材料について、エレクトロマイグレーション耐性の大きい配線構造、及びこのような配線構造の形成方法を提供する。【構成】 ?@結晶構造を示す配線材料から成る配線構造において、形成すべき配線層の膜厚T2 よりも厚い膜厚T1 で配線材料層を形成し、所定の膜厚の配線層に加工して、配線層の結晶粒径を膜厚以上の大きさにする。?A結晶構造を示す配線材料を溝内に埋め込んで成る配線構造において、形成すべき配線層の配線幅よりも深い溝を形成して埋め込みを行う。

Claim (excerpt)：

結晶構造を示す配線材料から成る配線構造において、形成すべき配線層の膜厚よりも厚く配線材料層を形成した後、所定の膜厚の配線層に加工することにより、配線層の結晶粒径を膜厚以上の大きさに形成したことを特徴とする配線構造。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 21/3065 , H01L 21/3213

FI (5)：

H01L 21/88 B , H01L 21/302 F , H01L 21/302 L , H01L 21/88 M , H01L 21/88 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-354337
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-060750 Applicant：富士通株式会社
半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-254046 Applicant：沖電気工業株式会社

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