位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000212782
Publication number (International publication number)：2002023342
Application date： Jul. 13, 2000
Publication date： Jan. 23, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】透明基板上に金属とシリコンとを主成分とした位相シフト膜を少なくとも一層設けてなる位相シフトマスクブランクにおいて、上記位相シフトマスクブランクにパターンを形成する際の反応性イオンエッチングにおける上記透明基板のエッチングレート(A)に対する位相シフト膜のエッチングレート(B)の比であるエッチング選択比(B/A)が5.0以上であることを特徴とする位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク。【効果】本発明によれば、位相シフトマスク製造時に基板を過度にエッチングされにくく、パターン部の位相差の制御性が良く、面内均一性が良く、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に十分対応することができる位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法を提供することができる。

Claim (excerpt)：

透明基板上に金属とシリコンとを主成分とした位相シフト膜を少なくとも一層設けてなる位相シフトマスクブランクにおいて、上記位相シフトマスクブランクにパターンを形成する際の反応性イオンエッチングにおける上記透明基板のエッチングレート(A)に対する位相シフト膜のエッチングレート(B)の比であるエッチング選択比(B/A)が5.0以上であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 P

F-Term (3)：

2H095BA01 , 2H095BB03 , 2H095BB16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

フォトマスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-244898 Applicant：ホーヤ株式会社
位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-181452 Applicant：ホーヤ株式会社
位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-038118 Applicant：ホーヤ株式会社

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