Pat
J-GLOBAL ID：200903097712708688

半導体の特性評価方法およびその装置

Inventor：
鳥羽 隆一

About 鳥羽 隆一


Applicant, Patent owner：
同和鉱業株式会社

About 同和鉱業株式会社


Agent (1)： 大川 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000345480
Publication number (International publication number)：2002148191
Application date： Nov. 08, 2000
Publication date： May. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ウエハ状にスライスする前のインゴット状態のままで、半導体の特性値およびインゴット内の特性値分布を高精度に評価し、スライス前の段階で各種の加工仕様を含めた選別スライス加工ができるようにして、ウエハの製造における歩留まりを向上させるとともに、結晶成長プロセスへのフィードバックを迅速に行い得る半導体の特性評価方法およびその装置を提供する。【解決手段】 化合物半導体の特性評価装置は、表面を平滑化して表面変質層を除去した化合物半導体のインゴット10を支持する可動ステージ12と、この化合物インゴットの長手方向に沿って断続的または連続的に、その化合物半導体の価電子帯と伝導帯との間の帯間吸収遷移を起こし得る励起光を室温環境下において不活性ガス雰囲気中で照射する励起光源18と、この励起光の照射によって得られたフォトルミネッセンス光を検出する光検出部20と、このフォトルミネッセンス光の波長情報および強度情報の少なくとも一方に基づいてキャリア濃度を評価する評価手段とからなる。
Claim (excerpt)：
表面を平滑化して表面変質層を除去した化合物半導体のインゴットを固定し、この化合物半導体のインゴットの長手方向に沿って断続的または連続的に、その化合物半導体の価電子帯と伝導帯との間の帯間吸収遷移を起こし得る励起光を室温環境下において不活性ガス雰囲気中で照射し、この励起光の照射によって得られたフォトルミネッセンス光の波長情報および強度情報の少なくとも一方に基づいてキャリア濃度を評価することを特徴とする、半導体の特性評価方法。
IPC (3)：
G01N 21/64 ,  H01L 21/304 611 ,  G01J 3/443
FI (3)：
G01N 21/64 Z ,  H01L 21/304 611 B ,  G01J 3/443
F-Term (24)：
2G020AA04 ,  2G020BA02 ,  2G020BA15 ,  2G020CA01 ,  2G020CB23 ,  2G020CB43 ,  2G020CD04 ,  2G020CD22 ,  2G020CD52 ,  2G043AA06 ,  2G043CA05 ,  2G043DA01 ,  2G043DA05 ,  2G043DA06 ,  2G043DA08 ,  2G043EA01 ,  2G043FA01 ,  2G043GA25 ,  2G043GB21 ,  2G043JA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  2G043NA11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM