Pat
J-GLOBAL ID：200903097723007851
高分散シリカナノ中空粒子及びそれを製造する方法
Inventor：
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡邉 順之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004077450
Publication number (International publication number)：2005263550
Application date： Mar. 18, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：
【課題】緻密なシリカ殻からなり、ナノサイズの粒子径でかつ分散性に優れた、高分散シリカナノ中空粒子及びそれを製造する方法の提供。【解決手段】その中空粒子は、緻密なシリカ殻からなる高分散の中空状粒子であって、細孔分布において2〜20nmの細孔が検出されないものであり、炭酸カルシウムを調製する第1工程、それにシリカをコーティングする第2工程及び炭酸カルシウムを溶解させる第3工程により製造される。その第2工程は第1工程で調製された含水ケーキをアルコール中に分散させ、シリカでコーティングされた炭酸カルシウムを調製し、それを水に分散し酸を添加して炭酸カルシウムを溶解させることにより、該中空粒子は製造される。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
緻密なシリカ殻からなる高分散の中空状粒子であって、透過型電子顕微鏡法による一次粒子径が30〜300nm、静的光散乱法による粒子径が30〜800nm、水銀圧入法により測定される細孔分布において2〜20nmの細孔が検出されないことを特徴とする高分散シリカナノ中空粒子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (15)：
4G072AA25
, 4G072BB16
, 4G072DD05
, 4G072DD06
, 4G072GG03
, 4G072HH29
, 4G072JJ11
, 4G072JJ23
, 4G072JJ38
, 4G072MM01
, 4G072QQ06
, 4G072TT01
, 4G072TT08
, 4G072UU25
, 4G072UU30
Cited by examiner (6)
Show all
Article cited by the Patent：
Return to Previous Page
