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J-GLOBAL ID：200903097765339536

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
伊藤 大介

About 伊藤 大介

, 
本藤 哲史

About 本藤 哲史

, 
三浦 昭二

About 三浦 昭二

, 
田井 明

About 田井 明


Applicant, Patent owner：
新光電気工業株式会社

About 新光電気工業株式会社

, 
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (2)： 石田 敬 ,  西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002194976
Publication number (International publication number)：2004039863
Application date： Jul. 03, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：
【課題】基板を覆う有機絶縁層の十分な絶縁性を回復する一方で、基板上の電極パッド等と配線との間に良好な電気的接続を確保することができ、しかも基板上に電位差を生じない半導体装置を提供すること。【解決手段】金属層を有する半導体基板と、有機絶縁層と、導体層とを含む半導体装置において、前記有機絶縁層の表面にその表面処理によって形成されたグラファイト層がプラズマアッシング処理によって除去されているとともに、その表面処理の間に有機絶縁層において消失せしめられた酸素及び窒素が補填されていることように構成する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
金属層を予め定められたパターンで表面に有する半導体基板と、前記半導体基板を被覆するとともに前記金属層の一部を表面から露出させている有機絶縁層と、前記金属層及び前記有機絶縁層の上に形成された導体層とを含む半導体装置において、 前記金属層の形成後にその表面に形成された自然酸化膜を除去するために前記半導体基板の表面に対してアルゴンイオンによる表面処理を行った際に前記有機絶縁層の表面に同時に形成されたグラファイト層が、引き続くプラズマアッシング処理によって除去されているとともに、前記表面処理の間に前記有機絶縁層の表面において消失せしめられた酸素及び窒素が補填されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L21/768 ,  H01L21/3065
FI (2)：
H01L21/90 S ,  H01L21/302 104H
F-Term (17)：
5F004AA07 ,  5F004AA09 ,  5F004BA03 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA32 ,  5F004EB02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033MM08 ,  5F033PP27 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033XX31
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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