半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995282896
Publication number (International publication number)：1997129602
Application date： Oct. 31, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】従来は絶縁膜の異方性エッチングにより発生したポリマーや非晶質層を同一条件のエッチングで除去していたため、下地がエッチングされる。そのため、下地に浅い接合の拡散層を形成することは困難であった。【解決手段】第1工程で、拡散層12(半導体層)上の絶縁膜13に、拡散層12に達する開口部14を形成した後、開口部14の底部の拡散層12上に生成されるポリマー15を、エッチングガスに酸素を用いたエッチング、またはエッチングガスに四フッ化炭素と酸素とを用い少なくとも四フッ化炭素を含みかつ〔四フッ化炭素の流量〕/〔酸素の流量〕で表される体積流量比を0.9以下の範囲に設定したエッチングによって除去し、第2工程で、開口部14の底部の拡散層12に形成される非晶質部分16を、エッチング溶液にフッ酸を用いたエッチングによって除去する。

Claim (excerpt)：

半導体層上の絶縁膜に、該半導体層に達する開口部を形成した後、該開口部の底部の前記半導体層上に生成されるポリマーを除去する第1工程と、前記開口部の底部の前記半導体層に形成される非晶質部分を除去する第2工程とを備えた半導体装置の製造方法において、前記第1工程は、エッチングガスに酸素を用いたエッチング、またはエッチングガスに四フッ化炭素と酸素とを用い少なくとも四フッ化炭素を含みかつ〔四フッ化炭素の流量〕/〔酸素の流量〕で表される体積流量比を0.9以下の範囲に設定したエッチングによって、前記ポリマーを除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/308 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (3)：

H01L 21/302 F , H01L 21/308 D , H01L 29/72

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

エッチングの後処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-354410 Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社
半導体基板の処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-230216 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-063621 Applicant：富士通株式会社

Show all

Cited by examiner (5)

エッチングの後処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-354410 Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社
半導体基板の処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-230216 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-063621 Applicant：富士通株式会社

Show all

Return to Previous Page