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J-GLOBAL ID：200903097973924736

多値ROMディスク原盤の製造方法、製造装置及び多値ROMディスク

Inventor：
花岡 克成

About 花岡 克成

, 
三浦 博

About 三浦 博


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 友松 英爾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004148452
Publication number (International publication number)：2005332452
Application date： May. 18, 2004
Publication date： Dec. 02, 2005
Summary：
【課題】 プロセスコストを高騰させることなく、多値ROMディスク原盤を製造する方法及び装置の提供。【解決手段】 (イ)基板上に少なくとも光吸収層と熱反応層を隣接して積層した成膜体に光照射し、該光照射により反応した熱反応層の反応部を利用することを特徴とする多値ROMディスク原盤の製造方法。(ロ)次の(1)〜(5)の工程を順次行うことを特徴とする多値ROMディスク原盤の製造方法。 (1)成膜体に光照射して熱反応層に反応部を形成する工程 (2)該光照射により反応した熱反応層の反応部を残存させる工程 (3)該反応部の下にある光吸収層を残存させる工程 (4)該反応部の下にある基板を残存させる工程 (5)残存する光吸収層及び熱反応層を除去する工程【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
基板上に少なくとも光吸収層と熱反応層を隣接して積層した成膜体に光照射し、該光照射により反応した熱反応層の反応部を利用することを特徴とする多値ROMディスク原盤の製造方法。
IPC (1)：
G11B7/26
FI (1)：
G11B7/26 501
F-Term (9)：
5D121BA03 ,  5D121BA05 ,  5D121BB04 ,  5D121BB05 ,  5D121BB26 ,  5D121BB33 ,  5D121BB34 ,  5D121GG04 ,  5D121GG14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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