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J-GLOBAL ID:200903098121432680

光電変換素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999283159
Publication number (International publication number):2001110462
Application date: Oct. 04, 1999
Publication date: Apr. 20, 2001
Summary:
【要約】【課題】 多量の増感色素を担持し、優れた光電変換特性を有する光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも、一方の面上に金属酸化物半導体層が被着された電極と、この電極の前記金属酸化物半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記金属酸化物半導体層と対電極との間に配置された電解質層とを有する光電変換素子において、前記金属酸化物半導体層を構成する個々の金属酸化物半導体粒子の表面に増感色素を担持させる。
Claim (excerpt):
少なくとも、一方の面上に金属酸化物半導体層が被着された電極と、この電極の前記金属酸化物半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記金属酸化物半導体層と対電極との間に配置された電解質層とを有する光電変換素子において、前記金属酸化物半導体層を構成する個々の金属酸化物半導体粒子の表面に増感色素が担持されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (8):
5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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