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J-GLOBAL ID：200903098140191243

発光装置

Inventor：
丸山 純矢

About 丸山 純矢

, 
池田 寿雄

About 池田 寿雄


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001142715
Publication number (International publication number)：2002033195
Application date： May. 14, 2001
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：
【要約】【課題】 金属膜からなる陰極を密着性良く成膜するための技術を提供し、表示画質の良好な発光装置を提供する。【解決手段】 高分子膜からなる発光層104の上に低分子膜からなる電子輸送層を設け、その上に金属膜からなる陰極106を有した構造のEL素子とする。このような構造とすることで陰極106の密着性不良による膜剥がれやダークスポットの発生を防ぎ、画質の良好な発光装置を得る。このように高分子膜と金属膜との間に低分子膜を設けるという構造は、高分子膜からなるキャリア輸送層上に低分子膜からなるキャリア注入層を設ける場合にも有効な構造である。
Claim (excerpt)：
陽極、該陽極上に設けられた高分子膜、該高分子膜に接して設けられた低分子膜および該低分子膜に接して設けられた陰極を含むEL素子を有することを特徴とする発光装置。
IPC (5)：
H05B 33/14 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/22
FI (6)：
H05B 33/14 B ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/22 B ,  H05B 33/22 Z
F-Term (23)：
3K007AB15 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  5C094AA31 ,  5C094AA38 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (11)
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