SiO2系セラミックス膜の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999000175
Publication number (International publication number)：2000198160
Application date： Jan. 04, 1999
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】各種基材に耐溶剤性を付与すると共に、又は中間層を設けることなく、ポリシラザン膜の各種基材に対する密着性を高める方法を提供すること。【解決手段】基材上にポリシラザンを含む塗膜を形成し、前記塗膜をセラミックス化処理して実質的にSiO2 からなるセラミックス膜を形成する方法において、前記基材と前記塗膜の間にシランカップリング剤を含むプライマー層を設ける工程を含むことを特徴とする方法。ポリシラザン及びシランカップリング剤を含むコーティング組成物を調製し、次いで前記コーティング組成物の塗膜を基材上に形成し、その後前記塗膜をセラミックス化処理して実質的にSiO2 からなるセラミックス膜を形成することを特徴とする方法。

Claim (excerpt)：

基材上にポリシラザンを含む塗膜を形成し、前記塗膜をセラミックス化処理して実質的にSiO2 からなるセラミックス膜を形成する方法において、前記基材と前記塗膜の間にシランカップリング剤を含むプライマー層を設ける工程を含むことを特徴とする方法。

IPC (2)：

B32B 9/00 , C03B 19/12

FI (2)：

B32B 9/00 A , C03B 19/12 A

F-Term (19)：

4F100AA20B , 4F100AD00B , 4F100AH06C , 4F100AK45 , 4F100AK52B , 4F100AK80B , 4F100AS00C , 4F100AT00A , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA10A , 4F100BA10B , 4F100EH462 , 4F100EJ082 , 4F100EJ422 , 4F100EJ65C , 4F100JB07 , 4F100JK06 , 4G014AH00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

紫外線赤外線吸収ガラス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-307499 Applicant：セントラル硝子株式会社
SiO2系セラミックス膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-080587 Applicant：東燃株式会社
SiO2系セラミックス膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-320114 Applicant：東燃株式会社

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